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X 射线传感器

Zeelta X 射线传感器为单片像素化 HR-GaAs:Cr 传感器。每个被吸收的光子产生与其能量成正比的电荷,由单个像素收集并由 ASIC 读出。探测器对光子计数并按能量分类。

主要参数

转换方式
直接转换,半导体
探测模式
带能量甄别的光子计数
像素间距
最小 35 µm
密度分辨
每个能量通道约 4,000 级灰度
接口
金属触点,可倒装焊接到光子计数读出 ASIC
寿命
抗辐射能力强,使用寿命长
传感器结构:带铝触点的高阻 HR-GaAs:Cr 层,倒装焊接于读出芯片(ASIC)。每个像素都是独立单元。
传感器结构:带铝触点的高阻 HR-GaAs:Cr 层,倒装焊接于读出芯片(ASIC)。每个像素都是独立单元。

工作原理

偏置电压将 X 射线光子产生的电荷分离。正电荷漂移到单个电极,因此事件位置可唯一确定,电荷量即对应光子能量。两个相邻事件会被分别记录。

与闪烁体相比

在闪烁体探测器中,光会扩散到多个光电元件上,这限制了空间分辨率,也无法测量光子能量。直接转换消除了这一限制:探测量子效率从约 35%–40% 提升到 90% 以上。

优势

  • 能谱(彩色)成像:在结构之外呈现元素组成
  • 灵敏度高,可降低活体样本的 X 射线剂量
  • 空间分辨率与像素间距一致
  • 可为系统集成商定制尺寸

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样品、规格和合作项目均可单独商议。提交需求或发邮件至 vvv@zeelta.com。

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