材料简介
该材料由半绝缘单晶 GaAs 经铬补偿后加工成高阻晶片。晶片是各种尺寸像素化、能量分辨传感器的基础部件。
产品 / 材料
HR-GaAs:Cr 探测材料
HR-GaAs:Cr 是经铬补偿的高阻砷化镓。它在室温下将 X 射线光子直接转换为电荷，是每一款 Zeelta 传感器的基础。我们内部称这种材料为“TOP”。
主要参数
- 40 keV 时 DQE
- 高于 95%
- 120 keV 时 DQE
- 约 75%
- 工作温度
- 最高 70 °C，无需低温冷却
- 抗辐射能力
- 最高 10 GGy
- 面板尺寸
- 大于 430 × 430 mm
- 材料成本
- 约每克 7.2 美元，约为 CdTe 的 1/40
为何重要
能谱光子计数需要直接转换型半导体。CdTe 和 CdZnTe 可以胜任，但价格昂贵且只能做成小块。HR-GaAs:Cr 能谱性能相当，响应均匀性更好，可规模化生产，每克成本低得多。
优势
- 能谱性能和响应均匀性优于常见替代材料
- 可规模化的生产工艺
- 大面积探测，适合医学成像
- 面向早期用户、科研团队和探测器制造商供货
与我们洽谈
样品、规格和合作项目均可单独商议。提交需求或发邮件至 vvv@zeelta.com。